|
ЧИП 1206 NPO 82пФ 50В 5%
|
|
1000
|
2429,88
|
19.01.2026 14:23:05
|
|
|
|
ЧИП 1206 X7R 8200пФ 50В 10%
|
|
1000
|
2429,88
|
19.01.2026 14:23:05
|
|
|
|
Чип-резистор 1206 0.25Вт 82 Ом 5%
|
|
1000
|
4480,51
|
19.01.2026 14:23:05
|
|
|
|
Чип-резистор 1206 0.25Вт 820 Ом 5%
|
|
1000
|
4480,51
|
19.01.2026 14:23:05
|
|
|
|
Чип-резистор 1206 0.25Вт 820К 5%
|
|
1000
|
4480,51
|
19.01.2026 14:23:05
|
|
|
|
ЧИП 1206 NPO 8.2пФ 50В ±0.25пФ
|
|
1000
|
2429,88
|
19.01.2026 14:23:05
|
|
|
|
Чип-резистор 1206 0.25Вт 8.2К 5%
|
|
1000
|
4480,51
|
19.01.2026 14:23:05
|
|
|
|
1206 82 Ом
|
5%,з/уп
|
5000
|
0,05
|
16.01.2026 14:40:54
|
|
|
|
1206 8,2пф NP0 50в ±0.25пФ CL31C8R2CBNC
|
Samsung
|
3280
|
0,09
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
1206-8,2 ом 1%
|
1/4W
|
2820
|
0,03
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
1206-18,2 ом 1%
|
1/4W
|
4940
|
0,03
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
1206-8,2 ком 1%
|
1/4W
|
3616
|
0,03
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
1206-8,25 ком 1%
|
1/4W
|
2380
|
0,03
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
1206-8,2 ом 5% ,,
|
1/4W
|
3500
|
0,02
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
1206-8,2ком 5%
|
1/4W
|
4285
|
0,02
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
1206-8,2мОм 5% ,,
|
1/4W
|
4140
|
0,02
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
1206 1800пф X7R 50в 10% 1206B182K500NT
|
Fenghua
|
1980
|
0,10
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
1206 6800пф NP0 50в 5% CC1206JRNPO9BN682
|
YAGEO
|
1990
|
0,40
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
1206 6800пф X7R 50в 10% CL31B682KBCNNNC
|
Samsung
|
3490
|
0,10
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
1206 6800пф X7R 100в 10% 1206B682K101
|
PDC
|
3792
|
0,10
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
