B41252-A8109-M-63 В-10000 мкФ (35x50) (105°C) Epcos
|
|
1
|
196,00
|
27.09.2024 9:45:49
|
|
|
С2-29В-0,125-481 Ом
|
2004 0,50%
|
795
|
0,24
|
26.09.2024 15:45:17
|
|
|
1206-681 ом 1%
|
1/4W Чип резисторы
|
4400
|
0,03
|
26.09.2024 15:44:21
|
|
|
1206-681 ком 1%
|
1/4W Чип резисторы
|
1100
|
0,03
|
26.09.2024 15:44:21
|
|
|
В10-12 (81г)
|
НУ:28
|
28
|
15,08
|
26.09.2024 15:42:57
|
|
|
С2-29В-0,125-681 кОм 0,1%(05г.)
|
0,3625
|
222
|
2,51
|
26.09.2024 15:42:57
|
|
|
С2-29В-0,125-81,6 кОм 0,05%
|
94:70
|
70
|
1,51
|
26.09.2024 15:42:57
|
|
|
ПС10-12 (81г)
|
НУ:2
|
2
|
2,01
|
26.09.2024 15:42:57
|
|
|
РВ19-14ЕТ-120.078125мГц (85г.)
|
НУ:6
|
6
|
12,57
|
26.09.2024 15:42:57
|
|
|
12П17Л (81г)
|
НУ:31
|
31
|
15,08
|
26.09.2024 15:42:57
|
|
|
122ЧС (81г) зав.упак.
|
НУ:1
|
1
|
392,13
|
26.09.2024 15:42:57
|
|
|
3ОД120А1 (81г.)
|
НУ:20
|
20
|
4,02
|
26.09.2024 15:42:57
|
|
|
МП112 (81г.)
|
НУ:2
|
2
|
5,03
|
26.09.2024 15:42:57
|
|
|
КР 1180 ЕН12Б (7812)
|
01 МИКРОСХЕМЫ - 142 Минск
|
47
|
1,45
|
26.09.2024 15:42:10
|
|
|
КР 1180 ЕН12В (7812)
|
06 МИКРОСХЕМЫ - 142 з-д ТРАНЗИСТОР, Минск
|
527
|
0,84
|
26.09.2024 15:42:10
|
|
|
КР 1180 ЕН12В (7812)
|
07 МИКРОСХЕМЫ - 142
|
6
|
0,84
|
26.09.2024 15:42:10
|
|
|
ДП-20-1-4-12-IM3681-Р11-У3
|
|
18
|
60,33
|
26.09.2024 15:37:42
|
|
|
ДП-20-1,6-10-12-IM3681-Р09-У3
|
|
10
|
50,27
|
26.09.2024 15:37:42
|
|
|
ДП-20-0,6-4-12-IM3681-Р09-У3, 0,6Вт, 4000об/м,12в
|
|
300
|
16,09
|
26.09.2024 15:37:42
|
|
|
С2-29в-0.125-681-0.5%-1,0-А
|
2007 5,упак.
|
50
|
|
26.09.2024 15:23:39
|
|
|