|
к10-17б-м47-510 пф-10% этик.
|
Кулон
|
7
|
1,01
|
29.10.2024 11:17:09
|
|
|
|
к10-17б-м47-510 пф-10% этик.
|
Кулон
|
46
|
1,01
|
29.10.2024 11:17:09
|
|
|
|
к10-17б-м47-510 пф-10% этик.
|
Кулон
|
49
|
1,01
|
29.10.2024 11:17:09
|
|
|
|
к10-79-100в-мпо-510пф-5% зав.уп.
|
Гириконд
|
1
|
3,02
|
29.10.2024 11:17:09
|
|
|
|
TK-100 В-1000 мкФ 20%, (16х35), (105°C) Jamicon
|
|
1
|
20,91
|
27.09.2024 9:45:49
|
|
|
|
ПЭВ100 510 Ом 5%
|
ОТК 1983 окисл. б/упак. Н.уп.:
|
1
|
20,11
|
26.09.2024 15:46:51
|
|
|
|
НМТ-450-5-100-В 102.1-102.7 Ом
|
ОТК 1986 К-1.87 Н.уп.: 10
|
10
|
12,07
|
26.09.2024 15:46:51
|
|
|
|
НМТ-450-5-100-В 102.1-102.6 Ом
|
ОТК 1986 К-1.87 Н.уп.: 10
|
10
|
12,07
|
26.09.2024 15:46:51
|
|
|
|
НМТ-450-5-100-В 101.1-101.9 Ом
|
ОТК 1986 К-1.87 Н.уп.: 10
|
10
|
12,07
|
26.09.2024 15:46:51
|
|
|
|
ВЛ-45 10-100 сек.-~110В
|
ОТК 1983 б/пасп б/уп б/креп.б/колодк.н/окись корпуса Н.уп.:
|
1
|
53,29
|
26.09.2024 15:46:51
|
|
|
|
ВЛ-45 10-100 сек.-~110В
|
ОТК 1984 б/пасп б/уп б/креп.с/колодк. Н.уп.:
|
1
|
53,29
|
26.09.2024 15:46:51
|
|
|
|
ВЛ-45 10-100 сек.-~110В без кол.
|
ОТК 1984 без упак без креп Н.уп.:
|
1
|
|
26.09.2024 15:46:51
|
|
|
|
КСО-10Г 3000 В 510 пФ 10%
|
ОТК 1982 Н.уп.:
|
40
|
15,08
|
26.09.2024 15:46:13
|
|
|
|
ПМ 12-010200 ~110В РТТ5-10-1 3.2А (с 2000г)
|
ОТК 2008 без упаковки Н.уп.:
|
6
|
129,70
|
26.09.2024 15:46:13
|
|
|
|
ПМ 12-010200~220В РТТ5-10-1 10-8.5-7А под dih рейку 2000г
|
ОТК 2007 УХЛ4-В б/пасп.б/упак. Н.уп.:
|
2
|
128,70
|
26.09.2024 15:46:13
|
|
|
|
С5-47ВА-10Вт-510 Ом
|
5 2018 Циркон 5%
|
8
|
11,06
|
26.09.2024 15:45:17
|
|
|
|
0805 1000пф X7R 100в 10% CL21B102KCANNNC
|
Samsung Чип конденсаторы
|
3400
|
0,06
|
26.09.2024 15:44:21
|
|
|
|
0805 10м Y5V 10в +80-20% CL21F106ZPFNNNE
|
Samsung Чип конденсаторы
|
2696
|
0,16
|
26.09.2024 15:44:21
|
|
|
|
0805 10м X7R 10в 10% MA0805XR106K100
|
PDC Чип конденсаторы
|
448
|
0,18
|
26.09.2024 15:44:21
|
|
|
|
2010-510 ом 5%
|
1/2W Чип резисторы
|
4920
|
0,10
|
26.09.2024 15:44:21
|
|
|
