|
Варистор MOV681KD14 (680В,d=14мм)
|
окт.20
|
500
|
1,51
|
02.10.2025 12:57:30
|
|
|
|
ECAP 6800/6.3V 1326 (EHR682MOJB)
|
14 HITANO
|
274
|
0,00
|
02.10.2025 12:48:06
|
|
|
|
IRLMS6802TRPBF MOSFET P-CH 20V 5.6A
|
12 Infineon TSOP-6
|
119
|
1,21
|
02.10.2025 12:48:06
|
|
|
|
MOF-2-680 ОМ-5% Резистор
|
|
3140
|
0,60
|
02.10.2025 12:46:44
|
|
|
|
IRLMS6802TRPBF MOSFET P-CH 20V 5,6A
|
|
|
|
01.10.2025 12:56:45
|
|
|
|
680 kom (MOF 2W) ±5% Pезистор выводной (в ленте)
|
Chian-Chia
|
|
|
20.01.2025 10:53:11
|
|
|
|
гк 40680 \\FULL\T/CM\3,3В\MO-16B-S\MEC
|
50/-40~85 2T/HC15pF 40/60% Кварцевые генераторы
|
100
|
25,14
|
17.01.2025 14:42:44
|
|
|
|
гк 40680 \\FULL\T/CM\5В\MO-13B-S\MEC
|
50/-40~85 1~10T/HC15pF 40/60% Кварцевые генераторы
|
87
|
22,62
|
17.01.2025 14:42:44
|
|
|
|
гк 40680 \\HALF\T/CM\3,3В\MO-26B-S\
|
MEC -40~85 50ppm 2T/HC15pF 40/60 Кварцевые генераторы
|
25
|
22,62
|
17.01.2025 14:42:44
|
|
|
|
46801 \UM1\S\30\\\3Г (MOT AD)
|
Rs55 (лазер) [15592~15595кГц]1Г Кварцевые резонаторы (пьезокерамические, диэлектрические, ПАВ (SAW), резонаторы из других п
|
20
|
12,57
|
17.01.2025 14:42:44
|
|
|
|
1Вт 680 Ом 5% MO Резистор S
|
|
9
|
|
17.01.2025 14:30:47
|
|
|
|
ECAP 6800/6.3V 1326 (EHR682MOJB)
|
2014г HITANO 200
|
274
|
|
12.01.2024 12:12:29
|
|
|
|
IRLMS6802TRPBF MOSFET P-CH 20V 5.6A
|
2012г Infineon TSOP-6 лента
|
119
|
1,51
|
12.01.2024 12:12:29
|
|
|
|
АКК.MotherBoard 3.6-80 (3 вывода)
|
|
|
|
06.10.2021 15:12:47
|
|
|
|
АКК.MotherBoard 3.6-80 (2 вывода)
|
|
|
|
06.10.2021 15:12:47
|
|
|
|
MO-50s-0.5-680 к J
|
|
|
|
06.10.2021 15:12:26
|
|
|
|
Резисторы маломощные (до 2 Вт)
MO-100 (С2-23) 1 Вт, 680 Ом, 5%, Резистор металлооксидный
|
Тайвань
|
|
0,10
|
05.04.2018 11:56:50
|
|
|
|
Резисторы маломощные (до 2 Вт)
MO-50 (С2-23) 0.5 Вт, 680 Ом, 5%, Резистор металлооксидный
|
Тайвань
|
|
0,12
|
05.04.2018 11:56:50
|
|
|
|
Резисторы мощные (2 и более Вт)
MO-200 (С2-23) 2 Вт, 680 Ом, 5%, Резистор металлооксидный
|
Тайвань
|
|
0,16
|
05.04.2018 11:56:50
|
|
|
|
Резисторы мощные (2 и более Вт)
MO-200 (С2-23) 2 Вт, 680 кОм, 5%, Резистор металлооксидный
|
Тайвань
|
|
0,12
|
05.04.2018 11:56:50
|
|
|
