|
ЧИП 0805 NPO 82пФ 50В 5%
|
|
1000
|
3048,24
|
19.01.2026 14:23:05
|
|
|
|
Чип-резистор 0805 0.125Вт 82 Ом 5%
|
|
1000
|
3048,24
|
19.01.2026 14:23:05
|
|
|
|
ЧИП 0805 NPO 820пФ 50В 5%
|
|
1000
|
3048,24
|
19.01.2026 14:23:05
|
|
|
|
ЧИП 0805 X7R 8200пФ 50В 10%
|
|
1000
|
3048,24
|
19.01.2026 14:23:05
|
|
|
|
Чип-резистор 0805 0.125Вт 820 Ом 5%
|
|
1000
|
3048,24
|
19.01.2026 14:23:05
|
|
|
|
Чип-резистор 0805 0.125Вт 82К 5%
|
|
1000
|
3048,24
|
19.01.2026 14:23:05
|
|
|
|
Чип-резистор 0805 0.125Вт 820К 5%
|
|
1000
|
3048,24
|
19.01.2026 14:23:05
|
|
|
|
к10-17б NPO 82пф 50в 5% 0805N820J500
|
ETHER
|
300
|
0,10
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
к10-17б NPO 820пф 50в 5% 0805N821J500
|
ETHER
|
730
|
0,16
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
к10-17б Х7R 8200пф 50в 10% 0805B822K500
|
ETHER
|
910
|
0,12
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
0805 1800пф X7R 50в 10% 0805B182K500NT
|
Fenghua
|
3050
|
0,03
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
0805 1800пф X7R 50в 10% CL21B182KBANNNC
|
Samsung
|
2700
|
0,04
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
0805 6800пф X7R 50в 10% CL21B682KBANNNC
|
Samsung
|
76
|
0,03
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
0805 6800пф X7R 50в 10% 0805B682K500NT
|
Fenghua
|
2190
|
0,03
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
0805 0,082м X7R 50в 10% CL21B823KBANNNC
|
Samsung
|
3930
|
0,10
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
0805-0,82 ом 5% ,,
|
1/8W
|
5000
|
0,08
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
0805 820пф NP0 50в 5% CL21C821JBCNNNC
|
Samsung
|
5700
|
0,08
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
0805 820пф X7R 50в 10% CL21B821KBANNNC
|
Samsung
|
2038
|
0,03
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
0805 8200пф X7R 50в 10% CL21B822KBANNNC
|
Samsung
|
2188
|
0,03
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
0805 82пф NP0 50в 5% CL21C820JBNNNC
|
Samsung
|
2944
|
0,04
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
