|
0805 0,022м X7R 50в 10% CC0805KRX7R9BB223
|
YAGEO
|
3600
|
0,06
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
к10-17б Y5V 0,022м 50в 20% 0805Y223Z500
|
ETHER
|
1108
|
0,11
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
к10-17б Х7R 0,022м 50в 10% 0805B223K500
|
ETHER
|
462
|
0,13
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
0805 0,022м Y5V 50в +80-20% CL21F223ZBANNNC
|
Samsung
|
3040
|
0,05
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
0805 0,022м X7R 50в 10% CL21B223KBANNNC
|
Samsung
|
454
|
0,06
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
0805 0,022м X7R 100в 10% CL21B223KCFNNNG
|
Samsung
|
1195
|
0,07
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
0805 0,082м X7R 50в 10% CL21B823KBANNNC
|
Samsung
|
3930
|
0,10
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
KPT-2012SURCK SMD 0805, красный,120-230мкд
|
Kingbright
|
50
|
0,80
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
СТ4-0805В-223-К500- 0,022мкФ10%
|
30.12.1899 18:20:00
|
500
|
0,50
|
16.01.2026 14:32:35
|
|
|
|
R0805-237 кОм-1% (RC0805FR-07237K) (2004г.)
|
(YAGEO) резистор SMD
|
5000
|
0,10
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
R0805-237 кОм-1% (0805S8F2373T50)
|
(ROYAL OHM, 1/8W) резистор SMD
|
9400
|
0,10
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
ct4-0805y223m500f3-50v-0,022 мкФ-20% (б/г.)
|
(многослойная выводная керамика) конденсатор
|
3245
|
0,50
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
R0805-22 кОм-5% (0805S8J0223T5E)
|
(ROYAL OHM - 0805 1/8W Chip Resistor) резистор SMD
|
3500
|
0,10
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
R0805-82 кОм-5% (0805J0823T5E)
|
(ROYAL OHM - 0805 1/8W Chip Resistor) резистор SMD
|
18619
|
0,10
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
SK 6,2/3,8:UNBEDRUCKT 0805425 (2015г.)
|
(PHOENIX - маркировочный лист)
|
19
|
26,14
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
0805 62 кОм 5% (RM10JTN623)
|
14 TA-I Tech
|
10000
|
0,00
|
16.01.2026 14:15:59
|
|
|
|
0805 X7R 50V 22nF 10% (CL21B223KBANNNC)
|
4000
|
12000
|
0,00
|
16.01.2026 14:15:59
|
|
|
|
CR0805-JW-823ELF
|
BOURNS
|
700
|
0,00
|
16.01.2026 14:15:59
|
|
|
|
0805 52,3 кОм 1% (RC2012F5232CS)
|
Samsung
5000
|
25000
|
1,61
|
16.01.2026 14:15:59
|
|
|
|
0805 62 кОм 5% (RS-05K623JT)
|
17 FH
5000
|
5000
|
0,01
|
16.01.2026 14:15:59
|
|
|
