|
Чип-резистор 0805 0.125Вт 620 Ом 5%
|
|
1000
|
3048,24
|
19.01.2026 14:23:05
|
|
|
|
Чип-резистор 0805 0.125Вт 62К 5%
|
|
1000
|
3048,24
|
19.01.2026 14:23:05
|
|
|
|
Чип-резистор 0805 0.125Вт 620К 5%
|
|
1000
|
3048,24
|
19.01.2026 14:23:05
|
|
|
|
0805 3600пф X7R 50в 10% CL21B362KBANNNC
|
Samsung
|
1900
|
0,03
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
0805 5600пф X7R 50в 10% CL21B562KBANNNC
|
Samsung
|
3155
|
0,05
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
0805 5600пф X7R 50в 10% 0805B562K500NT
|
Fenghua
|
3900
|
0,05
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
0805-1,62 ком 1% ,,
|
1/8W
|
4300
|
0,01
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
к10-17б NPO 6,2пф 50в ±0,5пф 0805N6R2D500
|
ETHER
|
93
|
0,08
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
к10-17б NPO 62пф 50в 5% 0805N620J500
|
ETHER
|
1179
|
0,09
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
к10-17б NPO 620пф 50в 5% 0805N621J500
|
ETHER
|
1610
|
0,10
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
к10-17б Х7R 1600пф 50в 10% 0805B162K500
|
ETHER
|
170
|
0,15
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
к10-17б Х7R 3600пФ 50в 10% 0805B362K500
|
ETHER
|
4005
|
0,11
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
к10-17б Х7R 5600пф 50в 10% 0805B562K500
|
ETHER
|
1100
|
0,12
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
к10-17б Х7R 6200пф 50в 10% 0805B622K500
|
ETHER
|
642
|
0,11
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
0805 6,2пф NP0 50в ±0.25пФ CL21C6R2CBANNNC
|
Samsung
|
1594
|
0,04
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
0805-16,2 ом 1% ,,
|
1/8W
|
4950
|
0,01
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
0805-6,2 ком 1% ,,
|
1/8W
|
3700
|
0,02
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
0805-56,2 ком 1% ,,
|
1/8W
|
4790
|
0,01
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
0805-6,2 ом 5% ,,
|
1/8W
|
3170
|
0,01
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
0805-6,2ком 5% ,,
|
1/8W
|
2275
|
0,01
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
