|
0805 50в X7R 1800 пф 10%
|
отк
|
50
|
|
30.10.2025 11:12:40
|
|
|
|
0805 50в X7R 0,018 мкф 10%
|
отк
|
100
|
|
30.10.2025 11:12:40
|
|
|
|
Конденсаторы/ЧИП-конденсаторы
CC0805JRNPO9BN182/ ЧИП 0805-1800 пф NPO 5% 50В
|
CC0805JRNPO9BN182/ Код 90915 Yageo
|
6
|
3,42
|
09.10.2025 12:27:35
|
|
|
|
к10-17б NPO 18пф 50в 5% 0805N180J500
|
ETHER
|
1197
|
0,12
|
02.10.2025 15:17:02
|
|
|
|
к10-17б Х7R 1800пф 50в 10% 0805B182K500
|
ETHER
|
1110
|
0,15
|
02.10.2025 15:17:02
|
|
|
|
0805 0,018м Y5V 50в +80-20% CL21F183ZBANNNC
|
Samsung
|
1750
|
0,04
|
02.10.2025 15:17:02
|
|
|
|
0805 0,018м X7R 50в 10% MA0805XR183K500PRG
|
PDC
|
3580
|
0,05
|
02.10.2025 15:17:02
|
|
|
|
0805 18пф NP0 50в 5% 0805CG180J500NT
|
Fenghua
|
2020
|
0,04
|
02.10.2025 15:17:02
|
|
|
|
0805 180пф NP0 50в 5% 0805CG181J500NT
|
Fenghua
|
3928
|
0,04
|
02.10.2025 15:17:02
|
|
|
|
0805 1800пф X7R 50в 10% 0805B182K500NT
|
Fenghua
|
3050
|
0,03
|
02.10.2025 15:17:02
|
|
|
|
0805 1800пф X7R 50в 10% CL21B182KBANNNC
|
Samsung
|
2700
|
0,04
|
02.10.2025 15:17:02
|
|
|
|
0805 18пФ (00г)
|
30.12.1899 0:48:00
|
48
|
1,11
|
02.10.2025 15:15:57
|
|
|
|
ЧИП 0805 X7R 1800пФ 50В 10%
|
|
1000
|
|
02.10.2025 12:57:30
|
|
|
|
R0805-187 Ом-1% (RC0805FR-07187RL) (2006г.)
|
резистор SMD (YAGEO)
|
21509
|
0,04
|
02.10.2025 12:49:31
|
|
|
|
ct4-0805b-1800 пф-10% (б/г.)
|
конденсатор (многослойная выводная керамика)
|
1000
|
1478,22
|
02.10.2025 12:49:31
|
|
|
|
MLCC-0805-X7R-1800 пф-10%-50v
|
конденсатор (ELZET, многослойная выводная керамика)
|
646
|
1478,22
|
02.10.2025 12:49:31
|
|
|
|
SDR0805-102KL-1000 мкГн-10% (2018г.)
|
дроссель (BOURNS - Inductor Unshield 1000uH 0.21A SMD)
|
1000
|
1,55
|
02.10.2025 12:49:31
|
|
|
|
0805 NP0 50V 180pF 5% (0805 N181J500NT)
|
3 Hitano
|
4000
|
0,00
|
02.10.2025 12:48:06
|
|
|
|
0805 NP0 50V 1800 pF 1% (GRM2165C1H182FA01D)
|
MURATA
|
4000
|
0,15
|
02.10.2025 12:48:06
|
|
|
|
0805 36 kOm 5% 1/8W ±200ppm/C (MCR10EZHJ363)
|
ROHM
|
5000
|
0,01
|
02.10.2025 12:48:06
|
|
|
