РМУГ-Т РС 4.523.404-02
|
ОТК 1989 Н.уп.:
|
1
|
|
26.09.2024 15:46:51
|
|
|
РЭС 22 РФ4.523.023.04-02
|
ВП 1989 Н.уп.:
|
1
|
13,07
|
26.09.2024 15:46:51
|
|
|
РМУГ-Т РС 4.523.404-02
|
ОТК 1989 этикета на коробке Н.уп.: 2
|
14
|
|
26.09.2024 15:46:51
|
|
|
РЭС 9 РС.4.529.029-04-02
|
ОТК 1983 Н.уп.: 10
|
10
|
10,05
|
26.09.2024 15:46:51
|
|
|
КФ5П1-5-200В12 200.4 #0.2Ом2.13
|
ОТК 1987 Н.уп.: 80
|
80
|
5,03
|
26.09.2024 15:46:51
|
|
|
КФ5П1-5-200В12 200.4 #0.2Ом2.22
|
ОТК 1985 Н.уп.: 100
|
200
|
5,03
|
26.09.2024 15:46:51
|
|
|
КФ5П1-5-200В12 200.4 #0.2Ом2.13
|
ОТК 1987 Н.уп.: 100
|
100
|
5,03
|
26.09.2024 15:46:51
|
|
|
0402 1500пф X7R 50в 10% CL05B152KB5NNNC
|
Samsung Чип конденсаторы
|
8776
|
0,02
|
26.09.2024 15:44:21
|
|
|
Э365-2 0-40-200А 1,5кл. (90г)зав.уп
|
90:01:00
|
1
|
80,44
|
26.09.2024 15:42:57
|
|
|
Э365-2 0-40-200А 1,5кл. (92г)зав.уп
|
92:01:00
|
1
|
100,55
|
26.09.2024 15:42:57
|
|
|
R0402-10 Ом-5% (2017г.) (RC1005J100CS)
|
резистор SMD (Samsung)
|
20000
|
0,05
|
26.09.2024 15:22:21
|
|
|
R0402-15 Ом-5% (2015г.) (CR0402-JW-150GLF)
|
резистор SMD (Bourns)
|
30000
|
0,02
|
26.09.2024 15:22:21
|
|
|
R0402-200 Ом-5% (2016г.) (RC1005J201CS)
|
резистор SMD (Samsung)
|
20000
|
0,05
|
26.09.2024 15:22:21
|
|
|
R0402-47 кОм-5% (2015г.) (CR0402-JW-473GLF)
|
резистор SMD (Bourns)
|
20000
|
0,03
|
26.09.2024 15:22:21
|
|
|
R0402-470 Ом-5% (2016г.) (RC1005J471CS)
|
резистор SMD (Samsung)
|
10000
|
0,05
|
26.09.2024 15:22:21
|
|
|
R0402-5,1 Ом-5% (2015г.) (CR0402-J/-5R1GLF)
|
резистор SMD (Bourns)
|
30000
|
0,03
|
26.09.2024 15:22:21
|
|
|
РЭС34 РС4.524.370-0402 Реле электромагнитное слаботочное коммутационное герметичное
|
|
3
|
9,35
|
26.09.2024 15:14:41
|
|
|
РЭС10 РС4.529.031-0402 Реле электромагнитное слаботочное коммутационное герметичное
|
|
1
|
36,70
|
26.09.2024 15:14:41
|
|
|
IPD100N04S402 DPAK TO252 Infineon код 4N0402
|
|
30
|
18,10
|
26.09.2024 15:05:14
|
|
|
РЭС10 04.02 Рэс10-РС4.529.031-04.02
|
85г90г (Заводск.Лужение) Электроприбор Алатырь
|
2
|
33,18
|
26.09.2024 15:00:34
|
|
|