|
ОНЦ-БМ2- 50/18-Р12-2В(98)
|
Разъём ВП 1999 с/кож. Н.уп.:
|
3
|
412,24
|
02.10.2025 15:18:47
|
|
|
|
ОНЦ-БМ2- 50/18-Р12-2В(98)
|
Разъём ОСМ 1999 Н.уп.:
|
1
|
412,24
|
02.10.2025 15:18:13
|
|
|
|
ОНЦ-БМ2- 50/18-Р12-2В(98)
|
Разъём ВП 1998 Н.уп.:
|
1
|
412,24
|
02.10.2025 15:18:13
|
|
|
|
Д112-25-9 (87г.)
|
03.01.1900 15:02:00
|
2
|
19,61
|
02.10.2025 15:15:57
|
|
|
|
ЗН18-30212209-80А-10конт-660В-440В
|
|
5
|
15,08
|
02.10.2025 15:15:57
|
|
|
|
B37981F1222K054-2200 пФ-5%
|
конденсатор (EPCOS 2.2nF Ceramic Multilayer Capacitor, 100 VDC X7R Dielectric ±5%)
|
758
|
2218,84
|
02.10.2025 12:49:31
|
|
|
|
сп5-16ва-1-220 Ом-5% (98г.)
|
резистор переменный -1
|
13
|
9,40
|
02.10.2025 12:49:31
|
|
|
|
онц-бм-1-50/18-р12-2-в (98г.) осм
|
(роз.)
|
1
|
165,90
|
02.10.2025 12:49:31
|
|
|
|
ТПП212-220-50 (98г.)
|
трансформаторы -1
|
3
|
27,65
|
02.10.2025 12:49:31
|
|
|
|
кв122а9 (98г.)
|
варикап --
|
1320
|
2387,25
|
02.10.2025 12:49:31
|
|
|
|
т122-25-09 (87г.)
|
тиристор --
|
1
|
14,38
|
02.10.2025 12:49:31
|
|
|
|
G630H981224B EU
|
17 Arrow Germeny DIP-3
|
168
|
0,00
|
02.10.2025 12:48:06
|
|
|
|
B66398A2000X000:ETD59/31/22 скоба
|
|
1
|
8,14
|
02.10.2025 12:46:44
|
|
|
|
LD3985M122R Микросхема
|
ST
|
416
|
3,52
|
02.10.2025 12:46:44
|
|
|
|
LD3985M122R
|
B122 SOT23-5 ST 1,22V 0,15A микросхема
|
39
|
11,56
|
02.10.2025 12:37:59
|
|
|
|
Плата BN94-02122R (BN41-00982B)
|
SAMSUNG плата
|
|
|
01.10.2025 13:31:31
|
|
|
|
3АС 122 Б-4 98г.
|
|
4
|
|
01.10.2025 13:23:21
|
|
|
|
ЗН18-30212209-80А-10КОНТ-660В-440В
|
|
|
|
01.10.2025 12:58:09
|
|
|
|
ОНЦ-БМ2- 50-18-Р12-2В(98)
|
1997
|
|
|
01.10.2025 12:57:53
|
|
|
|
ОНЦ-БМ2- 50-18-Р12-2В(98)
|
1998
|
|
|
01.10.2025 12:57:53
|
|
|
