|
RC3216-F-180 Ом 1% (chip 1206) Samsung
|
|
2740
|
0,07
|
27.09.2024 9:45:49
|
|
|
|
RC3216-J-18 кОм 5% (chip 1206)
|
|
4840
|
0,05
|
27.09.2024 9:45:49
|
|
|
|
RC3216-J-18 Ом 5% (chip 1206) Extra Co
|
|
2785
|
0,05
|
27.09.2024 9:45:49
|
|
|
|
RC3216-J-180 кОм 5% (chip 1206)
|
|
4800
|
0,05
|
27.09.2024 9:45:49
|
|
|
|
RC3216-J-180 Ом 5% (chip 1206)
|
|
4310
|
0,05
|
27.09.2024 9:45:49
|
|
|
|
CL31-C0G-18 пФ-50 В-5% (chip 1206) Samsung
|
|
3249
|
0,07
|
27.09.2024 9:45:49
|
|
|
|
RC3216-J-1,8 кОм 5% (chip 1206)
|
|
4620
|
0,05
|
27.09.2024 9:45:49
|
|
|
|
RC3216-J-1,8 Ом 5% (chip 1206) Yageo
|
|
1610
|
0,05
|
27.09.2024 9:45:49
|
|
|
|
Р1-8МП-0,125-75 кОм-1-Ж (chip 1206) 1%
|
|
40
|
2,35
|
27.09.2024 9:45:49
|
|
|
|
Дроссель D03216C1R8M 1,8 мкГн 20% (чип 1206)
|
|
40
|
0,91
|
27.09.2024 9:45:49
|
|
|
|
ПМ 12-063201 ~220В ТРТ 63-71-80А с пкл 1104 2000г
|
ОТК 2017 с/пасп. Н.уп.: 1
|
7
|
319,73
|
26.09.2024 15:46:13
|
|
|
|
ПМ 12-063201 ~220В ТРТ 63-71-80А с пкл 1104 2000г
|
ОТК 2018 с/пасп. Н.уп.: 1
|
28
|
319,73
|
26.09.2024 15:46:13
|
|
|
|
ПМ 12-063241 ~380В С LR2 D33 65А-75A-80A в корпусе 2018г
|
ОТК 2018 У3.завод упак.с пасп. Н.уп.: 1
|
1
|
323,76
|
26.09.2024 15:46:13
|
|
|
|
ПМ 12-063601 ~380В с ТРТ 65-71-80А реверс 2018г
|
ОТК 2018 УХЛ4 б/пасп.б/упак. Н.уп.:
|
1
|
588,19
|
26.09.2024 15:46:13
|
|
|
|
ПМ 12-063641 ~380В 63А в корпусе 2018г
|
ОТК 2018 без документов Н.уп.: 1
|
1
|
615,34
|
26.09.2024 15:46:13
|
|
|
|
ПМ 12-063641 ~380В 63А в корпусе 2018г
|
ОТК 2018 с трт 63.71.80А без пасп.без упак. Н.уп.:
|
2
|
615,34
|
26.09.2024 15:46:13
|
|
|
|
ПМ 12-063641 ~380В 63А в корпусе 2018г
|
ОТК 2018 с пасп с сертификатом Н.уп.: 1
|
1
|
615,34
|
26.09.2024 15:46:13
|
|
|
|
ПМ 12-063641 ~380В 63А в корпусе 2018г
|
ОТК 2018 с пасп Н.уп.:
|
1
|
615,34
|
26.09.2024 15:46:13
|
|
|
|
1206 X7R 25-0,18 мкФ
|
10%
|
180
|
0,08
|
26.09.2024 15:45:17
|
|
|
|
1206 1,8пф NP0 50в ±0.25пФ CL31C1R8CBBNNC
|
Samsung Чип конденсаторы
|
3240
|
0,09
|
26.09.2024 15:44:21
|
|
|
